恩智浦半導體推出全球首款性能低於1毫歐的Power SO8封裝MOSFET

恩智浦的全球首款MOSFET新產品為業界建立MOSFET能耗新標準

【台北訊，2009年7月13日】-恩智浦半導體（NXP Semiconductors，由飛利浦創建的獨立半導體公司），今日宣佈推出全球首款n通道、1毫歐以下25V MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）產品，型號為PSMN1R2-25YL。該產品擁有最低的導通電阻（R_DSon）與一流的FOM（Figure of Merit） 參數。該產品是目前為止採用Power-SO8無損封裝（Loss Free package；LFPAK）中具備最低導通電阻的MOSFET產品，也是恩智浦現有MOSFET產品系列的延伸。最新一代MOSFET產品整合了高性能Power-S08無損封裝與最新Trench 6代矽技術，可在多種特殊要求的應用條件下，例如電源OR-ring、電機控制（motor control）和高效同步降壓調節器（buck-regulators）等，提供不同的性能與可靠的優勢。 

恩智浦資深國際產品行銷經理John David Hughes表示：「在MOSFET製造技術領域，性能改善是一場長時間的競賽。我們在最新Trench 6中採用創新技術，進一步降低導通電阻。對客戶而言，新的Trench技術為他們帶來許多效益，例如：提高矽技術的開關效率，以及在封裝上提供更為優異的電阻和熱阻封裝性能。恩智浦Power-S08無損封裝與所有被廣泛接受的Power SO-8 PCB封裝皆相容。」

領先全球的恩智浦Trench 6 MOSFET PSMN1R2-25YL，採用Power-S08 無損封裝時，25 V MOSFET的導通電阻為典型值0.9毫歐，而30 V MOSFET的導通電阻為典型值1.0毫歐。 

除了全球最低的導通電阻 MOSFET之外，恩智浦亦宣佈推出為電源供應、電機控制和工業市場設計的新產品系列。該系列產品的作業電壓為25 V、30 V、40 V和80 V，並採用Power-S08無損封裝和TO220封裝。

上市時間：

PSMN1R2-25YL目前已上市。

有關恩智浦新型Trench 6 MOSFET產品的資料手冊與更多資訊，請參考網站：　 http://www.nxp.com/infocus/topics/lowest_rds_mosfet/index.html

關於恩智浦半導體

恩智浦是飛利浦在50多年前創建的全球領先的半導體公司。公司總部位於歐洲,在全球超過30個國家擁有28,000名員工，2008年公司營業額達到54億美元(包括手機及個人行動通訊業務)。恩智浦提供半導體、系統解決方案和軟體,為電視、機上盒、智慧識別應用、手機、汽車以及其他廣泛的電子裝置提供更好的感官體驗。關於更多恩智浦的新聞，請參觀網站www.nxp.com。

前瞻性說明

本新聞稿中可能包含有關恩智浦半導體財務狀況、營運與業務成效的前瞻性陳述,以及恩智浦半導體關於這些內容的計畫與目標。由於其特性,前瞻性陳述中將包含風險和不確定性,因其涉及到一些事件, 並且依賴未來的環境,同時很多因素也會影響最終結果和進展,使之偏離這些前瞻性陳述的論述與暗示。

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